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目前，世界上绝大部分厂家采用传统的改良西门子法生产硅料，作为成熟的技术路线，其降本增效潜力已近极限。作为硅料的保利协鑫十余年如一日，不断寻求技术突破以实现提质增效，其的、具有自主知识产权的硅烷流化床法颗粒硅（FBR法颗粒硅）技术已趋成熟，在产品纯度、能耗、产能等各项指标上，均大幅改良西门子法。
硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。
导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷
硅是地壳上丰富的元素半导体, 性质而工艺技术比较成熟,已成为固态电子器件的主要原料。为适应超大规模集成电路的需要,高完整性高均匀度(尤其是氧的分布) 的硅单晶制备技术正在发展。虽然在超速集成电路方面砷化镓材料表现出的性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各种晶体三极管、尤其是功率器件制造方面仍是主要的材料。无定形硅可能成为同单晶硅并列的重要硅材料。无定形硅和多晶硅太阳电池的成功将使硅材料的消耗量急剧增加。
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