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目前，世界上绝大部分厂家采用传统的改良西门子法生产硅料，作为成熟的技术路线，其降本增效潜力已近极限。作为硅料的保利协鑫十余年如一日，不断寻求技术突破以实现提质增效，其的、具有自主知识产权的硅烷流化床法颗粒硅（FBR法颗粒硅）技术已趋成熟，在产品纯度、能耗、产能等各项指标上，均大幅改良西门子法。
回收厂能够回收晶体硅光伏板中95%的材料。而此前，老化或破损的太阳能电池板通常被送到玻璃回收设施中，仅对玻璃和铝框架进行回收。而剩下的材料会被送往水泥炉中作焚烧处理。此外，玻璃回收厂只能将太阳能电池板的特种玻璃杯回收后与其它普通玻璃混合，造成了浪费。
在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出只硅晶体管，提高了人们制备硅单晶的兴趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。
硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.12电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏·秒，空穴迁移率为480厘米2/伏·秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104～10-4 欧·厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。
电阻率与均匀度 拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。
非平衡载流子寿命 光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。
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