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隐裂是电池片的缺陷。由于晶体结构的自身特性，晶硅电池片十分容易发生破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂（据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因）。隐裂产生的本质原因，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。
近几年，晶硅组件厂家为了降低成本，晶硅电池片一直向越来越薄的方向发展，从而降低了电池片防止机械破坏的能力。
2011年，德国ISFH公布了他们的研究结果：根据电池片隐裂的形状，可分为5类：树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。
隐裂，对电池片功能造成的影响是不一样的。对电池片功能影响的，是平行于主栅线的隐裂（第4类）。根据研究结果，50%的失效片来自于平行于主栅线的隐裂。45°倾斜裂纹（第3类）的效率损失是平行于主栅线损失的1/4。垂直于主栅线的裂纹（第5类）几乎不影响细栅线，因此造成电池片失效的面积几乎为零。
有研究结果显示，组件中某单个电池片的失效面积在8%以内时，对组件的功率影响不大，组件中2/3的斜条纹对组件的功率稳定没有影响。
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