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大硅片方面，目前中环股份主导的创新产品210硅片正在大幅扩产。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技术、经济性上的优势并不明显，市场占有率明显低于182大硅片。不过，相关人士透露，210硅片更适合下一代的N型电池，随着N型电池HJT与TOPCON技术之争终有了结果，210硅片或有拓展机会。
硅料回收的方法主要有以下几种： 1. 机械回收：通过物理方法对硅料进行分离、筛选和破碎，将废弃的硅料分离出来，然后进行再利用。这种方法适用于硅料的粒度较大的情况。 2. 化学回收：通过化学方法将废弃的硅料溶解，然后经过沉淀、过滤等步骤将硅料分离出来，再进行再利用。这种方法适用于硅料的粒度较小的情况。 3. 热处理回收：通过高温处理废弃的硅料，使其发生物理或化学变化，然后进行分离和提取。这种方法适用于含有有机杂质的硅料。
电阻率与均匀度 拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。
硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷
硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。
目前，世界上绝大部分厂家采用传统的改良西门子法生产硅料，作为成熟的技术路线，其降本增效潜力已近极限。作为硅料的保利协鑫十余年如一日，不断寻求技术突破以实现提质增效，其的、具有自主知识产权的硅烷流化床法颗粒硅（FBR法颗粒硅）技术已趋成熟，在产品纯度、能耗、产能等各项指标上，均大幅改良西门子法。
