硅料回收的方法主要有以下几种: 1. 机械回收:通过物理方法对硅料进行分离、筛选和破碎,将废弃的硅料分离出来,然后进行再利用。这种方法适用于硅料的粒度较大的情况。 2. 化学回收:通过化学方法将废弃的硅料溶解,然后经过沉淀、过滤等步骤将硅料分离出来,再进行再利用。这种方法适用于硅料的粒度较小的情况。 3. 热处理回收:通过高温处理废弃的硅料,使其发生物理或化学变化,然后进行分离和提取。这种方法适用于含有有机杂质的硅料。
生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外,不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于 200/厘米2者称为无位错单晶,无位错硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳或其他杂质的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈状或螺旋状者称为旋涡缺陷。热加工过程中,硅单晶微缺陷间的相互作用及变化直接影响集成电路的成败。
热导率较大。化学性质稳定,又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护,还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性,使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、、使用寿命长、可靠性好、热传导好,并能在200高温下运行等优点。